GT52N10D5
Número de pieza
GT52N10D5
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
13359
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
100W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2870 pF @ 50 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (4.9x5.75)
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