GT55N06D5
Número de pieza
GT55N06D5
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2895
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.33
$1.33
10
$0.84
$8.4
100
$0.55
$55
500
$0.43
$215
1000
$0.39
$390
2000
$0.36
$720
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
69W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1085 pF @ 30 V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (4.9x5.75)
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