HTNFET-D
Número de pieza
HTNFET-D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Honeywell Aerospace
Descripción
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
-
Vgs (Máx.)
10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 100µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
290 pF @ 28 V
Disipación de Potencia (Máx.)
50W (Tj)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 225°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-CDIP-EP
Paquete / Carcasa
8-CDIP Exposed Pad
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