HUF75307D3
Número de pieza
HUF75307D3
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Harris Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
9710
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 486
Cantidad
Precio
Precio total
486
$0.68
$330.48
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
55 V
Disipación de Potencia (Máx.)
45W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
IPAK
Paquete / Carcasa
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
20 nC @ 20 V
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