HUF75309D3S
Número de pieza
HUF75309D3S
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Harris Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
15780
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 841
Cantidad
Precio
Precio total
841
$0.4
$336.4
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
55 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia (Máx.)
55W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24 nC @ 20 V
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