ICE20N60FP
Número de pieza
ICE20N60FP
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
IceMOS Technology
Descripción
Superjunction MOSFET
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600 V
Paquete / Carcasa
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
35W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.9V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220FP
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
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