IRF620
Número de pieza
IRF620
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Disipación de Potencia (Máx.)
50W (Tc)
Temperatura de Operación
-65°C ~ 150°C (TJ)
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