IRF8113GPBF
Número de pieza
IRF8113GPBF
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
International Rectifier
Descripción
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Paquete / Carcasa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-SO
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2910 pF @ 15 V
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