IV1Q12050T4
Número de pieza
IV1Q12050T4
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 120
Cantidad
Precio
Precio total
120
$8.29
$994.8
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.2V @ 6mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2750 pF @ 800 V
Disipación de Potencia (Máx.)
344W (Tc)
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