IV1Q12160T4
Número de pieza
IV1Q12160T4
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 120
Cantidad
Precio
Precio total
120
$3.92
$470.4
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
138W (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.9V @ 1.9mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
885 pF @ 800 V
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