IV2Q06025T4Z
Número de pieza
IV2Q06025T4Z
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1660
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$13.73
$13.73
10
$9.57
$95.7
100
$7.22
$722
500
$6.77
$3385
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Disipación de Potencia (Máx.)
454W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 12mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
125 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3090 pF @ 600 V
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