IV2Q06040L1
Número de pieza
IV2Q06040L1
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
Encapsulamiento
Strip
Embalaje
Número
1660
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$11.3
$11.3
10
$7.78
$77.8
100
$5.8
$580
500
$5.24
$2620
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
63.5A (Tc)
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
Disipación de Potencia (Máx.)
249W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000 pF @ 600 V
Paquete / Carcasa
TOLL
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil