IV2Q06040T4Z
Número de pieza
IV2Q06040T4Z
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1660
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$11.56
$11.56
10
$7.98
$79.8
100
$5.96
$596
500
$5.4
$2700
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Disipación de Potencia (Máx.)
249W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000 pF @ 600 V
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