IV2Q12080T4Z
Número de pieza
IV2Q12080T4Z
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Inventchip
Descripción
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 80MOHM,
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1660
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$9.01
$9.01
10
$6.13
$61.3
100
$4.51
$451
500
$3.89
$1945
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
250W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
53 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1214 pF @ 800 V
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