MSD100P50
Número de pieza
MSD100P50
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Bruckewell
Descripción
P Channel MOSFET,100V,TO-252
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1603
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.85
$0.85
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
50mOhm @ 8A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (D-Pak)
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