N3T035MP120D
Número de pieza
N3T035MP120D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
NoMIS Power
Descripción
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2252
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$18.65
$18.65
25
$16.45
$411.25
100
$15.35
$1535
500
$14.25
$7125
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 20V
Disipación de Potencia (Máx.)
319W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3L
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 15mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
76A
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
126 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2204 pF @ 800 V
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