N3T080MP120D
Número de pieza
N3T080MP120D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
NoMIS Power
Descripción
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2482
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$9.85
$9.85
25
$9.3
$232.5
100
$8.75
$875
500
$7.65
$3825
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
188W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
38A
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3L
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 15mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
53 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
896 pF @ 800 V
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