NC1M120C12HTNG
Número de pieza
NC1M120C12HTNG
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
NovuSem
Descripción
SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1700
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 10
Cantidad
Precio
Precio total
10
$109.87
$1098.7
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
20mOhm @ 100A, 20V
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 40mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
Disipación de Potencia (Máx.)
938W (Ta)
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