NC1M120C40HTNG
Número de pieza
NC1M120C40HTNG
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
NovuSem
Descripción
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1700
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 50
Cantidad
Precio
Precio total
50
$27.76
$1388
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.8V @ 10mA
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
40mOhm @ 35A, 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2534 pF @ 1000 V
Disipación de Potencia (Máx.)
366W (Ta)
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