NC1M120C75RRNG
Número de pieza
NC1M120C75RRNG
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
NovuSem
Descripción
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1700
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 50
Cantidad
Precio
Precio total
50
$17.59
$879.5
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7L
Vgs (Máx.)
+18V, -5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.3V @ 5mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1402 pF @ 1000 V
Disipación de Potencia (Máx.)
240W (Ta)
Paquete / Carcasa
TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
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