Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Configuración
N and P-Channel
FET Característica
Logic Level Gate
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60V
Proveedor Dispositivo Paquete
SuperSOT™-6
Paquete / Carcasa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2Ohm @ 510mA, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
510mA, 340mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.5nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20pF @ 25V, 66pF @ 25V