NDM3000
Número de pieza
NDM3000
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
onsemi
Descripción
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
16-SOIC
Paquete / Carcasa
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
FET Característica
Logic Level Gate
Configuración
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
375pF @ 10V, 360pF @ 10V
Potencia - Máx
1.4W
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