NDS8926
Número de pieza
NDS8926
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
onsemi
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Paquete / Carcasa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-SOIC
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 250µA
Configuración
2 N-Channel (Dual)
FET Característica
Logic Level Gate
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
5.5A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760pF @ 10V
Potencia - Máx
900mW
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