P3M06060G7
Número de pieza
P3M06060G7
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
PN Junction Semiconductor
Descripción
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Disipación de Potencia (Máx.)
159W
Vgs (Máx.)
+20V, -8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
44A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 20mA (Typ)
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