P3M12160K3
Número de pieza
P3M12160K3
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
PN Junction Semiconductor
Descripción
SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Disipación de Potencia (Máx.)
110W
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
19A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
192mOhm @ 10A, 15V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3L
Vgs (Máx.)
+21V, -8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 2.5mA (Typ)
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