PJC7400_R1_00001
Número de pieza
PJC7400_R1_00001
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Panjit International Inc.
Descripción
SOT-323, MOSFET
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
82859
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.3
$0.3
10
$0.18
$1.8
100
$0.09
$9
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
350mW (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Vgs (Máx.)
±12V
Paquete / Carcasa
SC-70, SOT-323
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-323
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.2V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
1.8V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
447 pF @ 15 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
70mOhm @ 1.9A, 10V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP