QS120SCM80D2P
Número de pieza
QS120SCM80D2P
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Quest Semi
Descripción
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$10.18
$10.18
10
$9.89
$98.9
250
$9.63
$2407.5
500
$9.08
$4540
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
250W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7L
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.8V @ 5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
60 nC @ 20 V
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