QS1700SCM8
Número de pieza
QS1700SCM8
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Quest Semi
Descripción
1700v 8AMP SiC Mosfet
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
3790
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 10
Cantidad
Precio
Precio total
10
$4.35
$43.5
50
$3.85
$192.5
100
$3.41
$341
1000
$3.08
$3080
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Calificación
-
Grado
Automotive
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
8A
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 10mA
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO247-3
Disipación de Potencia (Máx.)
88W
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
16 nC @ 1200 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
142 pF @ 1000 V
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