QS65SCM65D2P
Número de pieza
QS65SCM65D2P
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Quest Semi
Descripción
650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2580
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$11.24
$11.24
10
$10.44
$104.4
250
$10.15
$2537.5
500
$9.52
$4760
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5V @ 8mA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
294W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
70mOhm @ 25A, 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1946 pF @ 400 V
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7L
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