RM3407
Número de pieza
RM3407
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Rectron USA
Descripción
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.3A SOT23
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
7600
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 6000
Cantidad
Precio
Precio total
6000
$0.13
$780
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Disipación de Potencia (Máx.)
1.5W (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
700 pF @ 15 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP