SI3442DV
Número de pieza
SI3442DV
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
34396
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1680
Cantidad
Precio
Precio total
1680
$0.2
$336
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.6W (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SuperSOT™-6
Paquete / Carcasa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
2.7V, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Máx.)
8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
365 pF @ 10 V
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