SSF2300
Número de pieza
SSF2300
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Good-Ark Semiconductor
Descripción
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
16225
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 3000
Cantidad
Precio
Precio total
3000
$0.06
$180
6000
$0.05
$300
9000
$0.05
$450
15000
$0.04
$600
21000
$0.04
$840
30000
$0.04
$1200
75000
$0.04
$3000
150000
$0.03
$4500
300000
$0.03
$9000
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Vgs (Máx.)
±12V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
2.5V, 4.5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.2V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.5A
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
300 pF @ 10 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.3W
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.6A, 4.5V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP