TPCA8010-H(TE12L,Q
Número de pieza
TPCA8010-H(TE12L,Q
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 1mA
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
450mOhm @ 2.7A, 10V
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