TPH3202LD
Número de pieza
TPH3202LD
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Vgs (Máx.)
±18V
Disipación de Potencia (Máx.)
65W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Proveedor Dispositivo Paquete
4-PQFN (8x8)
Paquete / Carcasa
4-PowerDFN
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