TPH3202PD
Número de pieza
TPH3202PD
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Vgs (Máx.)
±18V
Disipación de Potencia (Máx.)
65W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil