TPH3206PSB
Número de pieza
TPH3206PSB
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Máx.)
±18V
Disipación de Potencia (Máx.)
81W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.6V @ 500µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
720 pF @ 480 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil