TPH3207WS
Número de pieza
TPH3207WS
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Vgs (Máx.)
±18V
Disipación de Potencia (Máx.)
178W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.65V @ 700µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2197 pF @ 400 V
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