TPH3208LDG
Número de pieza
TPH3208LDG
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1609
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$12.91
$12.91
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
96W (Tc)
Vgs (Máx.)
±18V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.6V @ 300µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Proveedor Dispositivo Paquete
3-PQFN (8x8)
Paquete / Carcasa
3-PowerDFN
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