TPH3212PS
Número de pieza
TPH3212PS
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
104W (Tc)
Vgs (Máx.)
±18V
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.6V @ 400uA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1130 pF @ 400 V
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