VDG10N015LSA
Número de pieza
VDG10N015LSA
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción
100V, Single N Channel MOSFET, R
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1800
Estado rohs
NO
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PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$5.31
$5.31
10
$4.25
$42.5
100
$3.19
$319
500
$2.55
$1275
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
324A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL-8L
Disipación de Potencia (Máx.)
375W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9790 pF @ 50 V
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