VDM3E6N061LKA
Número de pieza
VDM3E6N061LKA
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción
65V, Single N Channel MOSFET, RD
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.84
$1.84
10
$1.47
$14.7
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
65 V
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 20A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
25W
Proveedor Dispositivo Paquete
DFN3030
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1691 pF @ 30 V
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