VDM503N007LSA
Número de pieza
VDM503N007LSA
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción
30V, Single N Channel MOSFET, RD
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1800
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$3.03
$3.03
10
$2.42
$24.2
100
$1.82
$182
500
$1.45
$725
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 30A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
460A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
DFN5060
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5571 pF @ 15 V
Disipación de Potencia (Máx.)
250W
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