VTR10P1K4LSA
Número de pieza
VTR10P1K4LSA
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción
-100V, Single P MOSFET, RDS(ON)
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.7
$0.7
10
$0.57
$5.7
100
$0.42
$42
500
$0.34
$170
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de FET
P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
140mOhm @ 6A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Disipación de Potencia (Máx.)
60W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2110 pF @ 50 V
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