WI71060TR
Número de pieza
WI71060TR
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Wise-Integration
Descripción
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4098
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$7.77
$7.77
10
$5.98
$59.8
25
$5.54
$138.5
100
$5.05
$505
250
$4.82
$1205
500
$4.68
$2340
1000
$4.56
$4560
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
700 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
30A (Tj)
Paquete / Carcasa
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.5V @ 10mA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PDFN (8x8)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2A, 6V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
7 nC @ 6 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
216 pF @ 400 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil