WI71100TR
Número de pieza
WI71100TR
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Wise-Integration
Descripción
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4094
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$6.59
$6.59
10
$5.05
$50.5
25
$4.66
$116.5
100
$4.24
$424
250
$4.04
$1010
500
$3.92
$1960
1000
$3.82
$3820
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
700 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Paquete / Carcasa
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.5V @ 10mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
17A (Tj)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PDFN (8x8)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
120 pF @ 400 V
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