XP10TN028YT
Número de pieza
XP10TN028YT
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2598
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.8
$0.8
10
$0.65
$6.5
100
$0.44
$44
500
$0.34
$170
1000
$0.31
$310
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2160 pF @ 50 V
Paquete / Carcasa
8-PowerDFN
Proveedor Dispositivo Paquete
PMPAK® 3 x 3
Disipación de Potencia (Máx.)
3.125W (Ta)
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