XP10TN135H
Número de pieza
XP10TN135H
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.68
$1.68
10
$1.26
$12.6
100
$0.85
$85
500
$0.67
$335
1000
$0.61
$610
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
135mOhm @ 5A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
928 pF @ 50 V
Disipación de Potencia (Máx.)
2W (Ta), 20.8W (Tc)
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