XP2344GN
Número de pieza
XP2344GN
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2560
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.67
$0.67
10
$0.41
$4.1
100
$0.24
$24
500
$0.2
$100
1000
$0.18
$180
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Vgs (Máx.)
±8V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
1.8V, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2430 pF @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.38W (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6A, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
35.2 nC @ 4.5 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP