XP2N1K2EN1
Número de pieza
XP2N1K2EN1
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2494
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.37
$0.37
10
$0.23
$2.3
100
$0.14
$14
500
$0.11
$55
1000
$0.09
$90
2000
$0.08
$160
5000
$0.07
$350
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Vgs (Máx.)
±8V
Disipación de Potencia (Máx.)
150mW (Ta)
Paquete / Carcasa
SOT-723
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 1mA
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-723
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
1.2V, 2.5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
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