XP3N1R0MT
Número de pieza
XP3N1R0MT
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2598
Estado rohs
NO
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PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.09
$2.09
10
$1.42
$14.2
100
$0.98
$98
500
$0.8
$400
1000
$0.75
$750
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
Paquete / Carcasa
8-PowerLDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 20A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
54.2A (Ta), 245A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12320 pF @ 15 V
Disipación de Potencia (Máx.)
5W (Ta), 104W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
PMPAK® 5 x 6
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